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异质集成GaN薄膜及GaN器件的制备方法

专利名称:	异质集成GaN薄膜及GaN器件的制备方法
专利名称英文:
专利类别:
申请号:	2021103615883
专利号:
申请日期:	2021/4/2
第一发明人:	欧欣
第一发明人英文:
其他发明人:	石航宁；游天桂；
其他发明人英文:
国外申请日期:
国外申请方式:
国外申请方式英文:
专利授权日期:
缴费情况:
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实施情况:
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专利摘要:
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国外授权日期:

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