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一种用于SOI基GaN晶圆及其制备方法

专利名称:	一种用于SOI基GaN晶圆及其制备方法
专利名称英文:
专利类别:
申请号:	2021104516315
专利号:
申请日期:	2021/4/26
第一发明人:	郑理
第一发明人英文:
其他发明人:	程新红,俞跃辉
其他发明人英文:
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国外申请方式:
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专利授权日期:
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实施情况:
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