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一种相变存储器件仿真模型

专利名称:	一种相变存储器件仿真模型
专利名称英文:
专利类别:
申请号:	2021104517303
专利号:
申请日期:	2021/4/26
第一发明人:	张光明
第一发明人英文:
其他发明人:	雷宇,陈后鹏,宋志棠
其他发明人英文:
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国外申请方式:
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专利授权日期:
缴费情况:
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实施情况:
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