专利库----中国科学院上海微系统与信息技术研究所

专利库

一种提高p-GaN HEMT电流能力及工艺稳定性的方法

专利名称:	一种提高p-GaN HEMT电流能力及工艺稳定性的方法
专利名称英文:
专利类别:
申请号:	2023101966070
专利号:
申请日期:	2023/3/3
第一发明人:	沈玲燕
第一发明人英文:
其他发明人:	程新红,郑理
其他发明人英文:
国外申请日期:
国外申请方式:
国外申请方式英文:
专利授权日期:
缴费情况:
缴费情况英文:
实施情况:
实施情况英文:
其他备注:
其他备注英文:
专利证书号:
专利摘要:
专利摘要英文:
国外授权日期: