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一种绝缘介质填充的硅TSV结构及制造工艺

专利名称:	一种绝缘介质填充的硅TSV结构及制造工艺
专利名称英文:
专利类别:
申请号:	202310340962
专利号:
申请日期:	2023/3/31
第一发明人:	凌必赟
第一发明人英文:
其他发明人:	吴亚明,周碧青,王潇悦,全刚
其他发明人英文:
国外申请日期:
国外申请方式:
国外申请方式英文:
专利授权日期:
缴费情况:
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实施情况:
实施情况英文:
其他备注:
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专利摘要:
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国外授权日期:

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