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基于绝缘体上半导体衬底的全环绕栅器件及其制备方法
专利名称: 基于绝缘体上半导体衬底的全环绕栅器件及其制备方法
专利名称英文:
专利类别:
申请号: 2023104285502
专利号:
申请日期: 2023/4/20
第一发明人: 刘强
第一发明人英文:
其他发明人: 俞文杰;
其他发明人英文:
国外申请日期:
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缴费情况:
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实施情况:
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