2025年1月11日 星期六
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基于绝缘体上半导体衬底的全环绕栅器件及其制备方法
专利名称: 基于绝缘体上半导体衬底的全环绕栅器件及其制备方法
申请号: 2023104285502
申请日期: 2023/4/20
第一发明人: 刘强
其他发明人: 俞文杰;
其他备注:  
其他备注英文:  
专利摘要: