专利库----中国科学院上海微系统与信息技术研究所

专利库

　　

一种P型高阻及超高阻直拉单晶硅衬底的制备方法

专利名称:	一种P型高阻及超高阻直拉单晶硅衬底的制备方法
专利名称英文:
专利类别:
申请号:	2022113602314
专利号:
申请日期:	2022/11/2
第一发明人:	魏星
第一发明人英文:
其他发明人:	李名浩,戴荣旺,汪子文,薛忠营
其他发明人英文:
国外申请日期:
国外申请方式:
国外申请方式英文:
专利授权日期:
缴费情况:
缴费情况英文:
实施情况:
实施情况英文:
其他备注:
其他备注英文:
专利证书号:
专利摘要:
专利摘要英文:
国外授权日期:

版权所有 © 中国科学院上海微系统与信息技术研究所　沪ICP备05005483号-1
电话：021-62511070　传真：021-62524192
地址：上海市长宁路865号　邮编：200050