2025年7月8日 星期二
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一种堆叠式增强型GaN HEMT器件及其制备方法
专利名称: 一种堆叠式增强型GaN HEMT器件及其制备方法
申请号: 2022112570956
申请日期: 2022/10/14
第一发明人: 沈玲燕
其他发明人: 程新红,郑理,俞文杰
其他备注:  
其他备注英文:  
专利摘要: