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一种低损耗硅光芯片的端面耦合结构

专利名称:	一种低损耗硅光芯片的端面耦合结构
专利名称英文:
专利类别:
申请号:	2022112450812
专利号:
申请日期:	2022/10/12
第一发明人:	武爱民
第一发明人英文:
其他发明人:	吕东升,冯大增,李昂
其他发明人英文:
国外申请日期:
国外申请方式:
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专利授权日期:
缴费情况:
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实施情况:
实施情况英文:
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专利摘要:
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国外授权日期:

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