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一种相变存储单元及其制作方法

专利名称:	一种相变存储单元及其制作方法
专利名称英文:
专利类别:
申请号:	2021115239975
专利号:
申请日期:	2021/12/14
第一发明人:	蔡道林
第一发明人英文:
其他发明人:	宋志棠,朱敏,钟旻,冯高明
其他发明人英文:
国外申请日期:
国外申请方式:
国外申请方式英文:
专利授权日期:
缴费情况:
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实施情况:
实施情况英文:
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国外授权日期:

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