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一种锗硅电吸收调制器及其制作方法
专利名称: 一种锗硅电吸收调制器及其制作方法
专利名称英文:
专利类别:
申请号: 2021115173234
专利号:
申请日期: 2021/12/13
第一发明人: 孙嘉良
第一发明人英文:
其他发明人: 刘雨菲,蔡艳,余明斌
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实施情况:
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