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一种改善绝缘层上硅晶圆表面粗糙度的方法

专利名称:	一种改善绝缘层上硅晶圆表面粗糙度的方法
专利名称英文:
专利类别:
申请号:	2021112694526
专利号:
申请日期:	2021/10/29
第一发明人:	魏星
第一发明人英文:
其他发明人:	戴荣旺，汪子文，薛忠营，陈猛，徐洪涛；李名浩
其他发明人英文:
国外申请日期:
国外申请方式:
国外申请方式英文:
专利授权日期:
缴费情况:
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实施情况:
实施情况英文:
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