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一种二维化合物半导体薄膜的制备方法

专利名称:	一种二维化合物半导体薄膜的制备方法
专利名称英文:
专利类别:
申请号:	2021110678849
专利号:
申请日期:	2021/9/13
第一发明人:	高渤翔
第一发明人英文:
其他发明人:	吴天如,朱虹延,张超,时志远
其他发明人英文:
国外申请日期:
国外申请方式:
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专利授权日期:
缴费情况:
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实施情况:
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国外授权日期:

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