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一种减少二极管选通阵列寄生漏电的偏置方法

专利名称:	一种减少二极管选通阵列寄生漏电的偏置方法
专利名称英文:
专利类别:
申请号:	2021107246905
专利号:
申请日期:	2021/6/29
第一发明人:	李阳
第一发明人英文:
其他发明人:	蔡道林,宋志棠,崔紫荆,李程兴
其他发明人英文:
国外申请日期:
国外申请方式:
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专利授权日期:
缴费情况:
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实施情况:
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