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一种超导磁通量子存储单元结构及其制备方法
专利名称: 一种超导磁通量子存储单元结构及其制备方法
专利名称英文:
专利类别:
申请号: 2022114290428
专利号:
申请日期: 2022/11/15
第一发明人: 彭炜
第一发明人英文:
其他发明人: 胡宇心;张露;陈垒;王镇;
其他发明人英文:
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实施情况:
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