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绝缘体上硅衬底上单晶AlN薄膜及其制备方法

专利名称:	绝缘体上硅衬底上单晶AlN薄膜及其制备方法
专利名称英文:
专利类别:
申请号:	202210406596X
专利号:
申请日期:	2022/4/18
第一发明人:	母志强
第一发明人英文:
其他发明人:	姜文铮；朱宇波；陈玲丽；俞文杰；李卫民；
其他发明人英文:
国外申请日期:
国外申请方式:
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专利授权日期:
缴费情况:
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实施情况:
实施情况英文:
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专利摘要:
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