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全耗尽SOI衬底上MOSFET的电容模型提取方法
专利名称: 全耗尽SOI衬底上MOSFET的电容模型提取方法
专利名称英文:
专利类别:
申请号: 202210818863.4
专利号:
申请日期: 2022/7/13
第一发明人: 陈静
第一发明人英文:
其他发明人: 任志鹏,葛浩,胡一波,尹伊哲
其他发明人英文:
国外申请日期:
国外申请方式:
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实施情况:
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