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全耗尽SOI衬底上MOSFET的电容模型提取方法

专利名称:	全耗尽SOI衬底上MOSFET的电容模型提取方法
专利名称英文:
专利类别:
申请号:	202210818863.4
专利号:
申请日期:	2022/7/13
第一发明人:	陈静
第一发明人英文:
其他发明人:	任志鹏,葛浩,胡一波,尹伊哲
其他发明人英文:
国外申请日期:
国外申请方式:
国外申请方式英文:
专利授权日期:
缴费情况:
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实施情况:
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