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MOS晶体管老化模型的提取方法

专利名称:	MOS晶体管老化模型的提取方法
专利名称英文:
专利类别:
申请号:	202111674038.3
专利号:
申请日期:	2021/12/31
第一发明人:	陈静
第一发明人英文:
其他发明人:	葛浩,胡一波,任志鹏,尹伊哲
其他发明人英文:
国外申请日期:
国外申请方式:
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专利授权日期:
缴费情况:
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实施情况:
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