12寸SOI晶圆核心技术研发

重点发展12寸SOI晶圆关键技术，实现国际并跑，推动材料在卫星KFS、5G/6G通信、硅光子以及光电集成等战略产业中的应用。针对中美竞争，发展FDSOI晶圆，规避EUV光刻机限制，差异化竞争高性能芯片制造；针对成熟节点超越摩尔战略，研发硅基光子芯片、MEMS/MEOMS、射频器件、功率器件用SOI晶圆；针对空间抗辐射芯片战略需求，发展等级的抗辐射SOI晶圆。实验室承担的研究内容包括：FDSOI, RFSOI, Power-SOI等制备技术，界面物理研究与界面工程技术，载能离子与硅作用机理与智能剥离技术等。