集成电路材料全国重点实验室（原“信息功能材料国家重点实验室”）始建于1991年，1995年通过科技部验收正式成立，2022年成为科技部批准重组建设的首批20家标杆全国重点实验室之一。实验室总体战略定位为聚焦集成电路用高端衬底制造、加工和前沿信息功能材料研发，为产业关键亟需技术提供解决方案，为产业技术升级提供核心技术，为产业未来发展提供战略指引。实验室布局大硅片研发、SOI工程衬底研发、异质集成衬底材料研发、工艺和封装材料研发、集成电路材料前沿技术五个特色研究方向，在SCIENCE、NATURE等期刊发表大量高水平论文，获得大量国际和国内专利授权，在集成电路材料领域做出了系列重要研究成果，获得国家科技进步一等奖、上海市科技进步特等奖、中国十大科技进展、中国科学院杰出成就奖等多项奖励，在国内外具有重要学术地位和影响，在国家科技进步、社会经济发展、国家战略安全方面做出了重要贡献。实验室现有固定人员120名，其中，中国科学院院士2名，美国国家科学院外籍院士1名，研究骨干获得国家高层次人才计划、国家杰出青年基金获得者、国家优秀青年基金获得者等国家级人才20余人次，省部级人才计划40余人次，基金委创新研究群体1个。实验室经过30多年的发展，已经成为国家集成电路材料重要研究基地之一。
State Key Laboratory of Materials for Integrated Circuits (formerly known as the “State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics”) was founded in 1991, officially approved by the Ministry of Science and Technology of China (MOST) in 1995. In 2022, it was selected as one of the first 20 benchmark state key laboratories by the MOST for reconstruction. The laboratory focuses on the manufacturing, processing, and development of high-end substrates for the integrated circuits and the advanced functional materials for informatics. It aims to provide comprehensive solutions for national integrated circuit industry, and strategic guidance for future development. The laboratory has five research directions including the research and development of silicon wafers, silicon on insulator (SOI) wafers, hetero-integrated substrates, materials for integrated circuit processing and packaging, and frontier technology for integrated circuit materials. The laboratory has published numerous high-level papers in prestigious journals including SCIENCE and NATURE, obtained a substantial number of international and domestic authorized patents. The laboratory has achieved a series of significant research achievements including the First Prize for National Scientific and Technological Progress Award, the Grand Prize for Shanghai Science and Technology Progress Award, National Top Ten Scientific and Technological Progress, Outstanding Achievement Award of the Chinese Academy of Sciences, etc. Currently, the laboratory has 120 staff members, including 2 academicians of Chinese Academy of Sciences and 1 international member of the National Academy of Sciences of American. Among them, more than twenty members have been selected in the national talent programs and more than 40 members have been selected in the provincial and ministerial talent program. The laboratory has received one project supported by the Science Fund for Creative Research Groups of the National Natural Science Foundation of China. After more than 30 years of development, the laboratory has established itself as one of the national important research bases for integrated circuit materials.
狄增峰，研究员，博士生导师，国家自然科学基金委原“杰出青年基金”获得者、全国优秀博士学位论文获得者。2001年本科毕业于南京大学，2006年在中国科学院上海微系统与信息技术研究所获得博士学位，其中2004年3月至2005年9月在香港城市大学物理与材料科学系进行联合培养。2006年至2010年在美国能源部Los Alamos国家实验室从事博士后研究工作。2010年9月作为海外杰出人才引进，被中国科学院上海微系统与信息技术研究所聘为研究员。2022年8月起任集成电路材料全国重点实验室主任。
长期从事SOI材料、电子器件及相关技术应用和基础研究工作，主要针对微电子技术器件特征尺寸缩小带来短沟道效应、迁移率退化的物理难题，开展高端SOI材料，包括全耗尽SOI材料、应变SOl(sSOI)、绝缘体上锗(GeOl)和维SOI材料等应用基础研究工作。研究成果在Nature、Nature Electronics、Science Advances、Nature Communications、Advanced Materials、Nano Letters等杂志共发表SCI论文180余篇。共授权国内发明专利100余件授权国际发明专利6件。曾获得中国科学院院长奖特别奖(2006)、全国百篇优秀博士学位论文(2008)。2012年获得国家自然科学基金委“优秀青年基金”支持，2018年获得国务院政府特殊津贴，2019年获得国家自然科学基金委“杰出青年基金”支持，2020年获得第十六届中国青年科技奖，上海市自然科学一等奖(3/5)，2022年获得上海市青年科技杰出贡献奖、上海市科技进步特等奖(16/29)。2023年获得中国科学院科技促进发展奖一等奖(4/10)。2025年获国家自然科学基金委“青年科学基金项目（A类）”延续支持。