12寸大硅片核心技术研发

重点发展12寸先进节点大硅片核心材料，突破多种卡脖子关键技术和前沿技术，实现自主可控与量产应用。针对卡脖子瓶颈，重点发展12寸28-14nm节点逻辑芯片用大硅片衬底和存储芯片用近完美单晶NPS；针对产业技术升级，重点发展12寸10-7nm节点逻辑芯片用大硅片和下一代3D NAND存储芯片用大硅片和12寸SOI晶圆制造用基础衬底；针对产业未来，发展12寸5-3nm节点大硅片技术。实验室承担的主要研究内容包括：多物理场耦合晶体生长模拟仿真技术，材料综合性能测试表征技术，缺陷形成与演化机理研究...