| 专利名称 | 申请号 | 申请日期 |
|---|---|---|
| 一种基于SOI工艺的电池管理芯片电路 | 2016101506147？ | 2016-3-16 |
| 一种提高相变存储器数据保持力的相变材料层结构 | 2016101409467？ | 2016-3-11 |
| 一种太赫兹室内通信信道的建模方法 | 2016100827102？ | 2016-2-5 |
| 一种单粒子瞬态脉冲电流源的建模方法 | 2016100739794？ | 2016-2-2 |
| 一种面向QoE需求的物联网安全路由方法 | 2016100739188 | 2016-2-2 |
| 一种基于分形理论的目标检测背景估计方法 | 2016100734786 | 2016-2-2 |
| 一种基于单帧数据的实时图像增强方法 | 2016100739169 | 2016-2-2 |
| 台阶区域覆盖有超导覆盖层的超导电路结构及其制备方法 | 2016100705035？ | 2016-2-1 |
| 一种SOI双端口静态随机存储器单元及其制作方法 | 2016100086942？ | 2016-1-7 |
| 一种SOI六晶体管静态随机存储器单元及其制作方法 | 2016100086637？ | 2016-1-7 |
| 一种SOI六晶体管SRAM单元及其制作方法 | 2016100089283？ | 2016-1-7 |
| 一种SOI八晶体管SRAM单元及其制作方法 | 2016100080876？ | 2016-1-7 |
| 一种SOI单端口静态随机存储器单元及其制作方法 | 201610008668X？ | 2016-1-7 |
| 一种SOI八晶体管静态随机存储器单元及其制作方法 | 2016100086923？ | 2016-1-7 |
| 一种SOI单端口SRAM单元及其制作方法 | 2016100089194？ | 2016-1-7 |
| 一种抗总剂量效应的SOI MOS器件及其制作方法 | 2016100086463？ | 2016-1-7 |
| 一种SOI MOS器件及其制作方法 | 201610008650X？ | 2016-1-7 |
| 一种SOI双端口SRAM单元及其制作方法 | 201610008065X？ | 2016-1-7 |
| 一种用于无线通信节点的超低功耗欠采样接收机 | 2016100034666 | 2016-1-4 |
| 包含部分限定型相变材料结构的相变存储单元及制作方法 | 201610066316X？ | 2016-1-29 |
