专利名称 | 申请号 | 申请日期 |
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一种菱形片状氧化铈的制备方法 | 200910200963.5 | 2009-12-25 |
一种基于垂直栅SOI CMOS器件的超结结构及其制作方法 | 200910200718.4 | 2009-12-24 |
使半导体激光器在宽温区可靠工作的低应力封装装置及方法 | 200910200647.8 | 2009-12-24 |
一种具有垂直栅结构的SOI CMOS器件 | 200910200721.6 | 2009-12-24 |
一种用于半导体激光器腔面镀膜的装置和方法 | 200910200648.2 | 2009-12-24 |
一种可调节垂直栅SOI CMOS器件沟道电流的叉指型结构 | 200910200719.9 | 2009-12-24 |
一种基于垂直栅SOI CMOS器件的超结结构及其制作方法 | 200910200718.4 | 2009-12-24 |
一种可调节垂直栅SOI CMOS器件沟道电流的叉指型结构 | 200910200719.9 | 2009-12-24 |
相变存储器的猝发写方法 | 200910200723.5 | 2009-12-24 |
一种具有垂直栅结构的SOI CMOS器件的制作方法 | 200910200722.0 | 2009-12-24 |
相变存储器 | 200910200724.X | 2009-12-24 |
相变存储器的猝发写方法 | 200910200723.5 | 2009-12-24 |
相变存储器 | 200910200724.X | 2009-12-24 |
一种SOI纵向双极晶体管及其制作方法 | 200910201332.5 | 2009-12-17 |
可实现敏感生化膜应力释放的柱状电极阵列结构及其制备方法 | 200910201333.X | 2009-12-17 |
用于绝缘体上硅技术的MOS型ESD保护结构及其制作方法 | 200910201331 | 2009-12-17 |
野外高效风光发电系统及方法 | 200910258801.7 | 2009-12-16 |
野外高效风光发电系统及方法 | 200920350506.X | 2009-12-16 |
用于漏氢检测的钯合金电化学纳米氢传感器敏感层及方法 | 200910201099 | 2009-12-15 |
低功耗高稳定性的相变存储单元及制备方法 | 200910201171.X | 2009-12-15 |