专利
专利名称 申请号 申请日期
一种菱形片状氧化铈的制备方法 200910200963.5 2009-12-25
一种基于垂直栅SOI CMOS器件的超结结构及其制作方法 200910200718.4 2009-12-24
使半导体激光器在宽温区可靠工作的低应力封装装置及方法 200910200647.8 2009-12-24
一种具有垂直栅结构的SOI CMOS器件 200910200721.6 2009-12-24
一种用于半导体激光器腔面镀膜的装置和方法 200910200648.2 2009-12-24
一种可调节垂直栅SOI CMOS器件沟道电流的叉指型结构 200910200719.9 2009-12-24
一种基于垂直栅SOI CMOS器件的超结结构及其制作方法 200910200718.4 2009-12-24
一种可调节垂直栅SOI CMOS器件沟道电流的叉指型结构 200910200719.9 2009-12-24
相变存储器的猝发写方法 200910200723.5 2009-12-24
一种具有垂直栅结构的SOI CMOS器件的制作方法 200910200722.0 2009-12-24
相变存储器 200910200724.X 2009-12-24
相变存储器的猝发写方法 200910200723.5 2009-12-24
相变存储器 200910200724.X 2009-12-24
一种SOI纵向双极晶体管及其制作方法 200910201332.5 2009-12-17
可实现敏感生化膜应力释放的柱状电极阵列结构及其制备方法 200910201333.X 2009-12-17
用于绝缘体上硅技术的MOS型ESD保护结构及其制作方法 200910201331 2009-12-17
野外高效风光发电系统及方法 200910258801.7 2009-12-16
野外高效风光发电系统及方法 200920350506.X 2009-12-16
用于漏氢检测的钯合金电化学纳米氢传感器敏感层及方法 200910201099 2009-12-15
低功耗高稳定性的相变存储单元及制备方法 200910201171.X 2009-12-15