7月11日，纳米先导监理组组长詹文山研究员和成员方世壁研究员、沈恂研究员、查连芳研究员在纳米先导办公室主任王其祥的陪同下，到上海微系统所考察纳米先导专项A类“高密度相变存储器技术”子课题的执行情况。 

　　中科院上海微系统所纳米先导专项A类“高密度相变存储器技术”子课题负责人宋志棠研究员，微系统所科技二处项目主管徐聪，财务处项目主管蔡雯雯、课题监管会计师张晓明，课题组刘波研究员、陈后鹏研究员、吴良才研究员、饶峰副研究员等共计40余人出席了此次会议。会议由宋志棠研究员主持。 

　　宋志棠研究员首先代表课题组欢迎专家前来指导工作，并介绍了相变存储器的发展、研究现状、子课题的总体进展情况及经费使用情况等。纳米先导专项A类“高密度相变存储器技术”子课题（XDA09020402）经过课题组全体成员的共同努力，发展了自主新型TiSbTe存储材料，该材料体系共发表文章6篇，专利5项，其中TiSbTe快速可逆相变机理发表在Nature Communications上；开展了探索ALD材料制备方法和自主的PVD填充方法；完成了自主相变材料化学机械抛光液，并通过中芯国际12英寸工程化验证；中芯国际和中科院的研发团队密切合作，共同开发单项工艺和集成工艺，打通了12英寸40纳米1T1R工艺，并在此基础上开展了新材料限制型相变单元工艺开发。宋志棠研究员向监理组汇报了课题组存在的困难及解决方案：原计划订购一台800万左右实验型CVD装备，主要用于实现新型相变材料纳米尺度均匀填充，开发限制型新型相变单元，由于2014年预算削减，将不得不暂停购买该类型CVD设备，改用探索ALD材料制备方法和自主的PVD填充方法。 

　　在听取了课题组的工作汇报后，纳米先导监理组的专家和课题组成员在材料组分、结构、稳定性、相变温度、器件尺寸、芯片密度等方面进行了热烈的讨论，肯定了课题组取得的成绩，并提出了具有针对性的宝贵建议和指导。专家表示：有自主专利和新材料是该课题的一大优势，大家一定要共同努力完成项目，对国家真正做出贡献；在经费紧张的情况下仍然想办法朝目标努力，做法值得肯定；要在考虑综合性能的前提下，选择合适的器件尺寸，完成课题指标；建议所里给予大力支持。 

   随后，纳米先导监理组的专家参观了相变存储器课题组实验室，宋志棠研究员介绍了平台的布局情况、设备情况、制备器件的单项工艺以及平台下一步建设的重点等。监理组的专家针对器件制备过程中具体的工艺流程，与课题组的成员进行了交流。最后，宋志棠研究员表示，感谢各位专家亲临指导，并给出了具有针对性的宝贵建议和指导，课题组全体成员一定会再接再厉把任务完成好！