7月8日，国家重大科学研究计划A类项目“半导体相变存储器”中期总结会在项目依托单位中科院上海微系统与信息技术研究所召开。 

　　科技部基础研究管理中心处长闫金定、中科院前沿科学与教育局技术科学处长孔明辉、国家纳米科学中心科技处副处长任红轩，专家组成员中科院物理所解思深院士、清华大学范守善院士、中科院上海高研院封松林研究员、北京大学薛增泉教授、中芯国际吴汉明副总裁、中科院上海技物所戴宁研究员、复旦大学资剑教授、上海市纳米技术及应用国家工程研究中心闵国全研究员，项目首席科学家宋志棠研究员，项目承担单位上海微系统所长特别助理、科研部长程建功，科研部项目主管及项目组成员等共计40余人出席了此次会议。会议由封松林研究员主持。 

　　程建功代表上海微系统所向与会领导和专家表示欢迎与感谢。孔明辉代表中科院感谢各位领导及专家长期以来的支持，希望通过本次会议对项目下一步工作提出好的意见和建议。闫金定发表讲话，他要求项目组在本次中期总结会的基础上认真梳理前两年工作，争取在后续阶段取得更大的突破。项目首席科学家宋志棠研究员汇报了项目的总体情况，并就课题二“高性能PCRAM芯片开发与应用基础研究”的前两年任务目标、课题进展情况和已取得的主要成果进行了整体概述。中芯国际技术总监詹奕鹏详细汇报了PCRAM工艺技术进展；刘显强副教授、林信南副研究员和陈邦明研究员分别就各子课题的进展情况作了详细汇报。 

　　听取各个课题的工作汇报后，与会专家就项目的具体实施内容、研究目标、下一步工作计划等展开了热烈的讨论，并提出了具有针对性的意见与建议。与会专家要求项目组在项目下一阶段的研究中进一步凝练亮点，体现特色，突出本项目的产业化意义。 

　　解思深院士做总结发言，对项目组从基础研究起步，逐渐形成工艺研究、工程化开发、产品设计的链式发展模式给予肯定，并希望项目组再接再厉，在项目后续研究中取得更大的进步。