本次获奖的欧欣研究员，在硅基SOI材料技术的基础上面向5G声、光、电核心芯片对异质集成材料的重要需求，发展“万能离子刀”异质集成XOI材料与器件技术，成功开发出多种硅基化合物、硅基宽禁带半导体及功能薄膜异质晶圆制备技术并应用于射频、光电和功率芯片，先后发表SCI/EI论文130余篇，其中第一/通讯作者在Nature Com.、PRL、Adv. Mater.、Nanoletters、IEDM等著名期刊和国际顶会发表论文110余篇，申请专利170件，授权70余件、转化42件。先后获得北京市科技进步一等奖、中国产学研合作创新奖、中国光学十大进展、中国半导体研究十大进展提名奖、中国电工学会科技进步奖、国际离子束与材料改性杰出贡献奖IBMM Prize、国际离子注入技术青年科学家奖、德国亥姆霍兹HZDR研究中心年度研究奖等荣誉。

简介：

     中国青年科技奖由中共中央组织部、人力资源和社会保障部、中国科协、共青团中央联合发起，旨在表彰那些在国家经济发展、社会进步和科技创新中作出突出贡献的青年科技人才，激发广大青年科技工作者的创新创造创业热情。该奖每两年评选一次，每届表彰不超过100个名额，含特别奖10名。