实验室新闻
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上海微系统所在晶圆级石墨烯量子整流研究方面取得进展中国科学院上海微系统与信息技术研究所（以下简称上海微系统所）狄增峰、田子傲研究团队联合上海科技大学寇煦丰团队、南方科技大学卢海舟团队等，在晶圆级低对称性量子材料制备与量子整流研究方面取得重要进展。2026年10月8日，相关成果以《面向集成量子整...2026-10-09 -
综述|只在指定区域长薄膜？这项ALD技术做到了纳米级精准随着制造技术进入原子级时代，传统的“沉积-光刻-刻蚀”工艺在精度、效率及成本等方面均面临前所未有的挑战。区域选择性原子层沉积（AS-ALD）技术能够在特定区域实现纳米尺度的高效、精确和可控沉积，被认为是替代传统工艺的潜在技术方案之一。2026-04-16
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研究论文|28nm工艺卡脖子环节：STI无缝填充如何破局？随着集成电路制造工艺节点的不断微缩，浅沟槽隔离（STI）的填充质量对芯片的良率与可靠性起到越来越重要的作用。在28nm及以下节点，面对高深宽比、非标准V形的STI结构，如何实现无接缝（Seam Free）填充一直是业界的一大痛点。2026-04-09
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所级中心第一季度培训实录为进一步提高平台仪器设备使用效率，加强仪器使用的安全意识和责任意识，提升科研人员对大型尖端仪器的理论知识水平和实际操作技能。所级公共技术中心材料器件工艺与表征平台在2026年第一季度开展了16场专项培训，其中包含入室安全培训，RIE刻蚀设备上机培...2026-04-07 -
专题征稿|“热电材料与器件”专题征稿启事为集中展示国内外在热电材料与器件领域的最新研究成果，《功能材料与器件学报》特邀上海交通大学胡志宇教授和吴振华助理研究员、中国科学院电工研究所商红静副研究员、电子科技大学王正上讲师共同组织 “热电材料与器件” 专题。2026-04-03
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研究论文|原子层沉积制备高导电Ru薄膜：后摩尔时代互连材料新突破随着集成电路特征尺寸缩小至5纳米以下，传统Cu互连面临“尺寸效应”导致的电阻剧增的挑战。近期发表在《功能材料与器件学报》上的研究论文，系统探索了基于原子层沉积技术制备高导电Ru薄膜的关键工艺，为下一代互连材料开发提供了重要实验依据。2026-03-26