专利
专利名称 申请号 申请日期
一种用于SOI基GaN晶圆及其制备方法 2021104516315 2021/4/26
超导SFQ标准工艺参数线下自动检测系统 2021104422727 2021/4/23
基于氮化硅阳极键合的(111)硅转移工艺 2021104318545 2021/4/21
提高超导集成电路工作范围的方法 2021104260879 2021/4/20
氮化镓半导体结构、Micro LED器件及制备方法 2021103630366 2021/4/2
异质集成GaN薄膜及GaN器件的制备方法 2021103615883 2021/4/2
基于偏振分束器与光电探测器的8通道结构及制作方法 2021103594834 2021/4/2
一种90°光混频器及制作方法 2021103594872 2021/4/2
基于偏振分束器与光电探测器的8通道结构 2021207107448 2021/4/2
一种90°光混频器 2021206757006 2021/4/2
一种高效背反射晶体硅异质结太阳电池及其制备方法 202110413537 2021/4/16
一种星型耦合器及功率均匀分配方法 2021104067886 2021/4/15
垂直结构硅基量子点发光器件的衬底转移方法 202110407456X 2021/4/15
一种光学微纳结构的制备方法 2021104009946 2021/4/14
一种多层异质单晶薄膜衬底的制备方法 2021103950877 2021/4/13
一种实现sigmoid激活函数的电路 2021103552564 2021/4/1
一种超导全张量磁梯度探头及超导全张量磁梯度测量系统 2021102518212 2021/3/8
基于超导电子学的多量子比特控制装置和方法 2021102412684 2021/3/4
一种中低轨卫星联合组网的星间链路功率分配方法 202110350598.7 2021/3/31
一种超导量子干涉传感器系统及其抑制输出偏移的方法 2021103483507 2021/3/31