| 专利名称 | 申请号 | 申请日期 |
|---|---|---|
| 一种硅异质结太阳电池及其制备方法 | 202010858366.8 | 2020/8/24 |
| 基于空腔包围结构的场效应晶体管及制备方法 | 2020108505989 | 2020/8/21 |
| 带文献信息录入图形用户界面的显示屏幕面板 | 2020304828224 | 2020/8/21 |
| 一种纳米二极管、其制备方法及其应用 | 2020108488432 | 2020/8/21 |
| 具有环栅结构的场效应晶体管的制备方法 | 2020108496053 | 2020/8/21 |
| 基于图形化埋层介质层的环栅场效应晶体管的制备方法 | 2020108496091 | 2020/8/21 |
| 基于空腔包围结构的环形栅场效应晶体管及制备方法 | 2020108507819 | 2020/8/21 |
| 具有空腔结构的SOI衬底及其制备方法 | 2020108495559 | 2020/8/21 |
| 具有纳米级空腔结构的SOI衬底及其制备方法 | 2020108506178 | 2020/8/21 |
| 可降低对准难度的SOI器件及其制备方法 | 2020108496265 | 2020/8/21 |
| 具有漏电屏蔽结构的SOI场效应晶体管及其制备方法 | 2020108506464 | 2020/8/21 |
| 减少侧边漏电的SOI场效应晶体管及其制备方法 | 2020108495987 | 2020/8/21 |
| 具有隔离层的场效应晶体管及其制备方法 | 2020108506676 | 2020/8/21 |
| 具有隔离层的鳍式场效应晶体管及其制备方法 | 2020108495949 | 2020/8/21 |
| 一种磁通驱动约瑟夫森参量放大器及其制备方法 | 2020108494471 | 2020/8/21 |
| 具有空腔结构的半导体衬底及其制备方法 | 2020108495845 | 2020/8/21 |
| 具有辅助支撑结构的半导体衬底及其制备方法 | 202010850620X | 2020/8/21 |
| 改善自热效应的SOI 器件及其制备方法 | 2020108495811 | 2020/8/21 |
| 超导连接通道及其制备方法 | 2020108447536 | 2020/8/20 |
| 毫米波三维全息图像去噪方法 | 2020108348193 | 2020/8/19 |
