宋志棠研究员带领的“相变存储器研究集体”专注于相变存储器（PCM）理论基础和工程应用研究，提出了八面体基元与三维限定可逆相变理论，开发出皮秒级Sc-Sb-Te 材料，提出了晶态- 液态新原理单质Te 开关器件，为三维高密度PCM 提供了新方案。与中芯国际、上海集成电路研发中心有限公司等等合作研制出4-128Mb PCM芯片，并用于电网和小卫星，量产业界首款嵌入式PCM 芯片，在芯片材料、器件、工艺、设计和应用全环节形成了自主知识产权。依托研究所和上海新储集成电路有限公司，正在实现PCM 产品系列化和大规模推广应用，为先进存储产业自主可控和国产替代奠定了基础。 

      任洁，现任中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员、超导电子实验室副主任。主要从事超导集成电路（IC）技术的研究。带领团队深入开展超导IC芯片关键核心技术攻关，建立起超导大规模IC芯片设计与测试研发平台，开发了国内首套入选IEEE-IRDS路线图的超导IC集成工艺、高速超导单元库以及系列大规模超导IC芯片。主持院A类先导专项项目、国家重点研发计划青年项目等。获得2022年国家高层次人才特支计划青年项目、第七届中国电子学会优秀科技工作者等荣誉。