9月8日至10日，第三届中日信息及电子材料研讨会(The 3^rd Sino-Japan Symposium on Information and Electronic Materials)在上海微系统所召开。本次会议是由中国科学院和日中科学技术交流协会共同举办，上海微系统所承办。会议由上海微系统所新能源技术中心主任刘正新主持。上海微系统所及来自日方大学和企业的专家30人参加了会议。  

　　中科院国际合作局亚非处陈维平首先致欢迎词，她介绍了中国科学院的发展历史以及中科院-日本研究机构和企业间友好交流中的重要事件。她表示在当前中日关系困难的背景下，中日科学技术交流协会能够克服困难，组织微电子、电子信息、电子材料领域的知名专家和企业代表来华交流访问，有助于通过科技交流，传播科学技术，加深彼此了解，提升科学技术水平。日中科学技术交流协会副会长Tsuguo Yamaoka先生代表日方致辞，并介绍了协会在日中科技交流方面的具体工作，希望通过民间的交流，加深彼此了解，提高亚洲乃至全人类的技术水平，为两国的和平友好做贡献。  

　　中科院上海微系统所所长王曦院士做了题为："Recent advances in ion beam processing commercial semiconductor materials in China"的主题演讲。他指出，离子注入技术不仅在微电子研发和产业方面举得了巨大的成功，对将来的微电子和信息技术的发展仍然具有重要作用，在高效太阳电池高精度界面形成和电池高效化方面也具有潜在价值，有望应用于新型高效太阳电池的研究开发。东京工业大学的Kazuyai MASU教授做了题为"Recent CMOS Miniaturization Trend”的主旨报告。上海微系统所刘志，李欣昕，谢晓明，刘正新研究员分别作了常压光电子分光表面分析，高性能传感和探测纳米集成技术，单晶包厚Bi₂Sr₂Ca1Cu₂O_x/graphene异质结超导，中国太阳电池材料及器件研发趋势方面的报告。日方来自神户大学，NIMS，Fujifilm，Toppan，Tray，AsahiKasei，JSR的教授和企业一线研究人员也分别作了报告，介绍了日本相关领域的最新技术动向以及公司的最新技术研发。会议交流讨论气氛热烈，参会人员就报告人的内容提出诸多问题和交流意见，与会人员普遍表示受益匪浅。此次活动增进了双方了解，为今后中日在该领域的技术合作和交流奠定了基础。  

      注：日中科学技术交流协会（JAPAN―CHINA SCIENCE AND TECHNOLOGY EXCHANGE ASSOCIATION：JCSTEA）是日本友好人士于1977 年12 月设立的民间交流组织。协会成立近30 年，不仅向中国派遣许多日本科学家· 技术人员，同时还接待了许多去日本的中国科学家·技术人员，并坚持举办诸多学术讲演会·日中联合讨论会等交流活动。