9月23日，由SOI产业联盟、中国科学院上海微系统与信息技术研究所、上海微技术工业研究院、芯原股份有限公司共同主办的“2014国际RF-SOI研讨会”在上海成功召开。本次研讨会是行业内首次举办射频类SOI议题的会议，聚集了当今射频产业的核心参与者，共同探讨交流快速发展的射频应用带来的机会与挑战。 

　　研讨会首先由中科院上海微系统所所长王曦院士致辞，提到中国市场在射频应用的巨大前景、中科院上海微系统所在SOI领域的研究成果及新傲公司与Soitec技术合作的最新动态；美国商业战略公司首席执行官Handel Jones以详尽的数据分析了智能手机及平板电脑等移动消费应用有力推动了射频芯片的巨大市场需求及SOI技术在这一领域面临的机会。 

　　此次研讨会聚集了IBM、ST、Global Foundries、以及中芯国际几家重要的RF SOI平台工艺制造商。IBM微电子部门战略与业务发展副总裁Mark Ireland提到IBM从2006年开始提供RF SOI制造工艺，阐释了RF SOI在前端重新定义移动应用的关键作用；意法半导体架构与射频SOI业务总监Laura Formenti详细分析了RFSOI在推进射频前端集成中的优势并介绍了ST HCMOS9SOI技术平台；Global Foundries细分市场资深总监Paul Colestock分享了GF公司130nm RFSOI的工艺平台的具体情况及UltraCMOS 10的最新进展；中国最大的晶圆代工厂中芯国际资深研发总监黄河详细分享了SOI NFET在RF开关、SOI在增强RF功率放大器pHEMT性能、CMOS MEMS射频滤波器将SOI CMOS集成方面的潜力、SOI集成解决方案将促进SW/PA/ET及SW/AT到SoC等内容，并提到晶圆代工厂不仅提供器件级工艺还包括高性能晶圆级SiP封装方面的支持。 

　　比利时鲁汶天主教大学教授Jean Pierre Raskin和SOI晶圆供应商Soitec公司产品开发总监Chrystelle Lagahe从SOI衬底技术的角度详细分析了衬底对射频信号完整性的影响及对射频性能提升的关键作用。专注于射频及无线半导体解决方案的设计公司Skyworks公司FES Si平台工程部工程副总裁James Young分享了移动手机PA设计要点，ET(EnveloppeTracking)与APT（Average Power Tracking）性能对比分析及SOI/CMOS与GaAs器件性能的对比分析等内容。上海微技术工业研究院副总裁卢煜旻博士详细阐述了4G无线通讯为射频前端模组及元件带来了新的挑战，RF SOI技术已经成为目前天线/开关类射频应用的主流技术，并且在可调式元件（包括可调式天线、可调式PA、可调式滤波器/双工器等）中具有发展潜力。 

　　最后的圆桌讨论环节，各位嘉宾就“中国射频市场”展开了热烈讨论，包括中国射频市场的特点及主要推动力、中国晶圆代工能力、RF SOI供应链、RF FEM系统封装和系统集成的趋势、LTE和WiFi通用RFSOI平台的驱动力、衬底-器件-设计共同合作生态系统的建立等多项业内人士关心的问题进行了观点的分享与碰撞。 

 　　RF SOI研讨会现场 

 　　中科院上海微系统所所长王曦院士致辞 

 　　圆桌讨论