陈静，中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员，博士生导师。2002年于中国科学院上海微系统与信息技术研究所获得博士学位。作为“SOI器件与模型”方向负责人，建立SOI设计服务平台，协助开发ASIC、CPU等多款芯片，确立了国内SOI器件模型研究的领先地位。作为项目负责人承担国家重大专项、中国科学院重点部署项目、国家自然科学基金项目、以及上海市基础重点研究项目等。担任IEEE Transactions on Electron Devices，IEEE Transactions on Nuclear Science，Chinese Physics B等国内外核心期刊审稿人。

陈静长期从事SOI材料与器件领域研究工作，近年来在SOI新器件、存储单元、辐射效应等方面取得多项成果。研究成果在IEEE Electron Device Lett.等期刊发表了SCI论文50余篇，申请发明专利60余件，其中第一发明人授权专利35项（含美国授权专利8项）。获得2005年度上海市科技进步奖一等奖，2006年度国家科技进步奖一等奖，2007年度中国科学院杰出科技成就奖。