张苗，中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室研究员、博士生导师。微电子专业，研究方向为先进SOI材料与器件, 二十余年专注于SOI晶片制备新技术研究，氧离子注入SOI已在国家急需的核心器件中得到应用，推动了SOI产业化；为满足甚大规模集成电路发展的需要，进一步开展新型高迁移率SOI材料研究，包括基于SOI技术的GeSi、应变Si材料、Ge材料等，在SOI材料制备技术以及高迁移率SOI材料研究方面取得了突出的成果，是02国家科技重大专项项目总负责人；已主持完成了30余项国家科研项目，包括国家科技重大专项、863微电子重大专项、国家973项目、国家自然科学基金、上海市青年科技启明星、上海市优秀学科带头人项目等20余项。在SCI刊物上发表100余篇学术论文，获得授权专利40余项，申请专利30余项。是全国百篇优秀博士论文指导教师、中国科学院研究生院“优秀教师”。 

　　作为创始人之一，建立了我国唯一的SOI产业化基地-上海新傲科技有限公司，打破国外技术垄断，填补国内空白。获得“上海市科学技术进步一等奖”、“国家科学技术进步奖”一等奖、中国科学院杰出科技成就奖、2008年北京奥运会火炬手、上海市“三八红旗手”标兵、全国三八红旗手。 

　　科技产出