龚谦，研究员，博士生导师。1993年毕业于北京师范大学物理系获固体物理专业获学士学位。1998年毕业于中国科学院半导体研究所，获半导体材料与器件专业博士学位。在XSTM的实验结果基础上，对量子点的形成机制提出了理论模型和解释。提出并验证了利用亚原子层厚GaAs或InP材料在1.55微米波段连续调节InAs量子点发光波长的方法。在半导体单模激光器方面开展了广泛研究，成功研制了室温工作的GaAs和InP基量子点外腔激光器。成功研制了室温连续工作的Ge基InAs量子点激光器和GaSb基InGaAsSb量子阱激光器。他在国际学术期刊上发表论文100多篇，被引用1000多次，H-index 17。

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