中国科学院院士，材料学家。1931年7月出生，江苏太仓人。1952年毕业于唐山交通大学冶金工程系，1954年赴苏留学，1958年在前苏联莫斯科有色金属学院获副博士学位。回国后一直在上海冶金所（现上海微系统所）工作，历任离子束开放实验室主任、所长。先后担任离子注入和材料改性两个国际学术会议的国际委员会委员。曾受聘为德国慕尼黑弗朗霍夫学会固体技术研究所客座教授。1986年当选为中共上海市第五届委员会候补委员。1991年当选为中国科学院学部委员（院士）。1992年当选为中共第十四届中央委员会候补委员。现任上海微系统所研究员，博士生导师，并任上海市集成电路行业协会会长、上海华虹 NEC电子有限公司副董事长。 

　　在六十年代曾负责国防重点任务甲种分离膜（代号真空阀门）的加工成形工作，是成功研制甲种分离膜的第二发明人。七十年代以后在离子束材料改性、合成、加工和分析等方面进行了系统的研究工作，独创了用二氧化碳激光背面辐照获得离子注入损伤的增强退火效应，用全离子注入技术研制成我国第一块120门砷化镓门阵列电路，用反应离子束加工成我国第一批闪光全息光栅，研究SOI材料并制成CMOS/SOI电路，发展了离子束增强沉积技术并合成了氮化硅、氮化钛薄膜。2008年以来，主要从事国产RH SOI材料的研制以及130nm RH STI工艺的开发研究工作。 

　　邹世昌获国家发明一等奖和中国科学院自然科学、科技进步等14项奖励，发表文章200多篇，培养博士生30多名，2003年被评为上海浦东开发建设杰出人才，2008年被国际半导体设备材料协会SEMI授予中国半导体产业开拓奖。 

科技产出