李爱珍研究员、博士生导师、美国国家科学院外籍院士，1958年毕业於复旦大学,分配到中国科学院冶金陶瓷研究所(1959年2月更名为中国科学院上海冶金研究所, 2001年5月更名为中国科学院上海微系统与信息技术研究所。)先后担任半导体材料研究室主任,信息功能材料研究室主任,信息功能材料国家重点实验室常务副主任、学术委员会主任。 

　　1983-1996年先后創建了固态源分子束外延实验室,氣态源分子束外延实验室。在科技部、中国科学院和所长領导下,1995年建立了世界银行贷款信息功能材料国家重点实验室,2000年被评为优秀国家重点实验室。担任1988-2000年国家863计划新材料領域电子、光子材料専題负责人。 

　　李爱珍先后於1958-1963从事稀土金属、稀有金属化学冶金研究;1963年转向半导体領域从事化合物半导体材料、器件与应用研究：1963-1967从事高纯高迁移率半导体锑化铟单晶生长及其物性和光电器件应用研究;从1966年开始研究化合物半导体外延薄膜材料、器件与应用研究,其中: 

　　1966年-1979年从事液相外延,气相外延生长技术、薄膜材料结构设计,制备与材料特性表征及微波器件和发光二极管应用研究和成果推广包括在12.4和18千兆赫取样仪器的砷化镓共平面管应用;光电耦合器件中高效率砷化镓红外光源材料及推广应用,下厂建生产线,1978-1984年产值达736万元。 

　　1980年至2016年,从事基于分子束外延纳米异质结构科学和技术及其在毫米波、亚毫米波高速电子器件中应用以及在近红外至中红外波段探测器、激光器光电器件应用的研究35年。 

　　综言之,自1964年至2016年从事半导体信息功能材料及其在微波器件、毫米波高速电子器件和近红外至中红外光电器件应用研究52年。1985年以来获:第三世界科学院2004年工程科学奖1项(TWAS 2004 Prize in Engieering Sciences is awarded to Li Ai在hen),中国国家科技進步奖5项,省部级奖16项。申请国家发明专利28项。发表论文256篇。获全国归侨、侨眷优秀知识分子，全国三八红旗手荣誉称号,863计划实施15周年先进个人, 上海市劳动模范、上海市三八红旗手标兵。2003年中国分子束外延全国学术会议被授予终身成就奨。 

　　自1980年8月-1982年10月,1987年4月-1988年2月,1993年10月-1994年2月先后在美国Carnegie Mellon 大学电子工程系(EE系)和电子和计算机工程系(ECE)半导体研究室任访问学者,访问教授。1996年12月-1997年4月,1999年9月-1999年10月在德国Paul-Drude固体电子学研究所任马普学会客座教授。    

　　1990年以来先后任分子束外延国际会议国际顾问委员会委员、程序委员会主席、程序委员会委员;中红外光电材料与器件国际会议主席。 

　　 2007年4月当选美国國家科学院外籍院士。