魏星，中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员，博士生导师，上海市优秀技术带头人，国家重点研发计划首席科学家，入选国家级人才计划。2010年于中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）获博士学位。

长期从事先进硅基半导体材料及器件领域研究工作，包括：跨尺度/多场耦合下晶体生长的数值模拟、300mm直拉单晶硅晶体生长技术、晶体缺陷动力学/缺陷工程、300mm/200mm SOI关键制造技术及新型SOI器件等，分别于2009和2022年开发出国内第一片200mm SOI晶圆、300mm SOI晶圆，以及IGBT用300mm低氧低缺陷硅片、射频用300mm低氧高阻硅片等先进硅基半导体材料。主持了国家GG工程项目、国家02专项、国家重点研发计划、中科院C类先导专项等8项重大科研项目。在Cryst. Growth Des.、CrystEngComm、Appl. Phys. Lett.、IEEE Electron. Dev. Lett.、IEEE T. Electron. Dev.、Mat. Sci. Semicon. Proc.等期刊上发表了SCI论文60余篇；申请中、美、德、法、日、韩等国专利100余件，授权超过80件。曾获中科院院长奖（2010）、中科院卢嘉锡青年人才奖（2014）、上海市五一劳动奖章（2019）、上海市科技进步特等奖（2022）等荣誉。

招聘/招生研究方向：

300mm大硅片：跨尺度/多场耦合下晶体生长过程的数值模拟、大直径硅单晶晶体生长技术、晶体缺陷动力学/缺陷工程、超平坦硅片成型；

     SOI：300mm SOI晶圆及其关键制备技术；硅/异质材料复合结构；新型SOI器件。