游天桂，现任中科院上海微系统与信息技术研究所研究员，博士生导师。在德国开姆尼茨工业大学取得博士学位，曾在德国HZDR研究中心和IFW Dresden研究所工作，于2016年12月加入中国科学院上海微系统与信息技术研究所。

游天桂长期从事基于离子束技术的化合物半导体异质集成材料与器件领域研究工作，开展GaNOI、Ga2O3OI、InPOI、GaAsOI、GaSbOI等新型异质集成材料的工艺研究，研究上述异质集成材料的微观结构、电学输运、热学等特性，并开展功率器件、高速器件、光电器件研究。主持/承担了国家重点研发计划青年科学家项目、国家自然科学基金面上项目等10余项科研项目/任务，取得多项创新性成果。在Adv. Funct. Mater.、IEDM等期刊上发表了研究论文90余篇，申请专利90余件，授权50余件。入选中国科协青年人才托举工程、上海市青年科技启明星、上海市科技青年35人引领计划、上海市浦江人才等。