张燕辉，中国科学院上海微系统与信息技术研究所副研究员。在中国科学院技术物理研究所取得博士学位，博士期间从事III-V族化合物半导体薄膜的MBE制备研究，具有丰富的薄膜制备经验。于2011年6月加入中国科学院上海微系统与信息技术研究所。 

    入所后长期从事CVD石墨烯的研究，在铜上CVD石墨烯的可控生长、CVD石墨烯中的微结构缺陷等领域取得多项创新性成果。在Carbon等期刊发表了SCI论文30余篇，申请发明专利十余件。