人才库----中国科学院上海微系统与信息技术研究所

人才库

姓名:	母志强	性别:	男
职务:		职称:	研究员
学历:		通讯地址:	长宁路865号
电话:		邮政编码:	200050
传真:		电子邮件:

简历：

母志强，现任中科院上海微系统与信息技术研究所研究员。在中科院上海微系统所取得博士学位，曾在联华电子（UMC）新加坡公司从事集成电路先进工艺研发工作，具有丰富的集成电路材料与器件工艺研发经验。于2020年7月加入中国科学院上海微系统与信息技术研究所。

母志强长期从事集成电路材料与工艺器件领域研究工作，主要研究方向为：氮化铝压电材料与射频器件、新型SOI材料与器件。前期成功研发出8英寸氮化铝异质集成衬底、内嵌空腔SOI等系列高端硅基衬底材料，研制出高频谐振器和滤波器、高迁移率及高可靠性新型电子器件。在Nano Letters、IEEE Electron Device Letters等期刊上发表SCI论文10余篇，申请专利20余件。入选中科院海外人才计划、上海市海外高层次人才。

研究领域：

社会任职：

获奖及荣誉：

代表论著：

1.Ruidong Qin, Congquan Zhou, Wentong Dou, Jinghong Lu, Yumeng Yang, Zhiqiang Mu, Wenjie Yu, 3.3 GHz BAW Resonators Fabricated on Single Crystal AlN Templates, 2023 IEEE International Ultrasonics Symposium (IUS), Montreal, QC, Canada, 2023, pp. 1-4;

2.Wentong Dou, Congquan Zhou, Ruidong Qin, Yumeng Yang, Huihui Guo, Zhiqiang Mu, Wenjie Yu, Super-High-Frequency Bulk Acoustic Resonators Based on Aluminum Scandium Nitride for Wideband Applications, Nanomaterials 2023, 13(20), 2737

3.Qiang Liu, Hongyang Zhou, Xin Jia, Yumeng Yang, Zhiqiang Mu, Xing Wei,Wenjie Yu. Novel Void Embedded Design for Total Ionizing Dose Hardening of Silicon-on-Insulator MOSFET, IEEE Electron Device Letters, 2022, 43(11), 1814-1817

4. Qiang Liu, Zhiqiang Mu, Chenhe Liu, Lantian Zhao, Lingli Chen, Yumeng Yang, Xing Wei, Wenjie Yu, Gate-All-Around MOSFET Built on Void Embedded Silicon on Insulator Substrate, IEEE Electron Device Letters, 2021, 42(5), 657-660.

5.Lantian Zhao, Qiang Liu, Chenhe Liu, Lingli Chen, Yumeng Yang, Xing Wei, Zhiqiang Mu, Wenjie Yu, Total Ionizing Dose Effects on Nanosheet Gate-All-Around MOSFETs Built on Void Embedded Silicon on Insulator Substrate, IEEE Electron Device Letters, 2021, 42(10), 1428-1431.

承担科研项目情况：