专利
专利名称 申请号 申请日期
可用于相变存储器多级存储的相变材料 200410067987.5 2004-11-10
一种无损检测磷化铟与砷化镓基材料直接键合质量的方法 200410067985.6 2004-11-10
三维互补金属氧化物半导体晶体管结构及其制备方法 200410067218.5 2004-10-15
一种双栅金属氧化物半导体晶体管的结构及其制备方法 200410067219.x 2004-10-15
一种反射式阵列波导调制型光开关 200410015742.8 2004-1-9
一种芯片原位聚合酶链反应检测目标基因的方法 200410016012.x 2004-1-19
一种微型扭转式单刀双置射频开关结构及制作方法 03151462.6 2003-9-29
一种制造源漏在自对准绝缘体上的纳米晶体管器件的方法 03151252.6 2003-9-26
用于半导体激光器后腔面的高反射率膜系及其镀膜用具夹 03151154.6 2003-9-24
一种含镁锌氧的金属-绝缘层-半导体结构及制备工艺 03151098.1 2003-9-19
一种用毛细管法气密封装微机电系统器件的方法 03142072.9 2003-8-6
一种微机电芯片的密封腔体制作方法 03141997.6 2003-8-1
一种硅纳米线的制作方法 03141848.1 2003-7-25
高储氢量的钛-钒基储氢合金 03141849.x 2003-7-25
一种微型角速度传感器及其制作方法 03141712.4 2003-7-18
微机械传感器气密封装用等温凝固方法 03129302.6 2003-6-13
经钒、铁改性的钛铬系储氢合金 03129301.8 2003-6-13
鳞状碳纳米管、制备方法和专用装置 03129171.6 2003-6-11
基于硅微机械技术的N×N光开关 03128991.6 2003-5-30
带有微型连接构件的基板及其制作方法 03128997.5 2003-5-30