| 专利名称 | 申请号 | 申请日期 |
|---|---|---|
| 利用绝缘体上硅制备悬空应变硅薄膜的方法 | 201010223135.6 | 2010-7-7 |
| 一种制备悬空应变材料的方法 | 201010223192.4 | 2010-7-7 |
| 利用绝缘体上硅制备悬空应变硅薄膜的方法 | 201010223135.6 | 2010-7-7 |
| 一种绝缘体上超薄应变材料的制备方法 | 201010223124.8 | 2010-7-7 |
| 实现源体欧姆接触的SOI MOS器件制作方法 | 201010220390.5 | 2010-7-6 |
| SOI高压功率器件的制备方法 | 201010220370.8 | 2010-7-6 |
| 抑制浮体效应的SOI MOS器件结构的制作方法 | 201010220198.6 | 2010-7-6 |
| 具有沟槽结构的SOI高压功率器件芯片的制备方法 | 201010220360.4 | 2010-7-6 |
| 利用功能化碳纳米管为敏感材料的微悬臂梁传感器的方法 | 201010241824.X | 2010-7-30 |
| 在单硅片上单面微加工制作的悬臂梁加速度传感器及方法 | 201010240609.8 | 2010-7-27 |
| 具有多层超结结构的SOI LDMOS器件制作方法 | 201010234273.4 | 2010-7-22 |
| 一种具有线性缓冲层的SOI超结LDMOS制作方法 | 201010234294.6 | 2010-7-22 |
| 可完全消除衬底辅助耗尽效应的SOI超结LDMOS结构的制作工艺 | 201010231665.5 | 2010-7-20 |
| 一种SOI埋氧层下的导电层及其制作工艺 | 201010231684.8 | 2010-7-20 |
| 可完全消除衬底辅助耗尽效应的SOI超结LDMOS结构 | 201010231661.7 | 2010-7-20 |
| 一种改善高阻SOI衬底上高介电常数栅介质性能的方法 | 201010231639.2 | 2010-7-20 |
| 基于空间相关性的磁场动态补偿系统及方法 | 2010102281590 | 2010-7-16 |
| 一种荧光化合物及其在检测痕量甲基苯丙胺中的应用 | 201010228372.1 | 2010-7-16 |
| 一种基于SOI衬底的高介电常数材料栅结构及其制备方法 | 201010225694.0 | 2010-7-13 |
| 具有侧壁加热电极与相变材料的存储器单元及制备方法 | 201010225613.7 | 2010-7-13 |
